颠覆AI与48V电源，英诺赛科新品震撼登场

在科技的最前沿，英诺赛科揭开了一道革命性的序幕，以其创新之作——INN100EA035A，挑战了电源世界的极限。这款蕴含氮化镓魔力的100VGAN功率器件，不仅身披先进的双冷却En-FCLGA盔甲，更拥有着超凡的导热能力，比肩传统单冷却封装，它犹如暗夜中的猎豹，以65%的性能飞跃，狩猎效率的极限。

故事发生在未来AI心脏的深处，当数据的洪流遇上48V电源的传输瓶颈，INN100EA035A挺身而出，它的低阻抗、零反向恢复的绝技，让能量流动宛如丝滑，为AI服务器的电源输送铺就一条高效之路。在一片由硅统治的领域，它如同叛逆的英雄，以20%的功率密度提升和超过35%的系统功率损耗削减，挑战着古老技术的权威。

英诺赛科的系列产品，像是一支秘密部队，准备颠覆传统SiMOSFET的疆域。每一个En-FCLGA封装的器件，不仅是技术的结晶，更是未来电源解决方案的先驱，它们在48V应用的战场上，演绎着速度与效率的传奇。

这不仅仅是一场技术的革新，更是电力传输领域的一次壮丽日出，英诺赛科以INN100EA035A为笔，绘制着未来AI时代的能源蓝图，让每一个比特的旅行，都充满着前所未有的能量与效率。

英诺赛科宣布推出新产品inn100ea035a，这是一款100vgan功率器件，采用先进的双冷却en-fclga封装，与传统的单冷却封装相比，导热率高出65%。改进的热性能降低了工作温度并提高了效率，从而实现更高的功率密度，使其成为ai服务器48vdc-dc电源传输的理想选择。

INN100EA035A及En-FCLGA封装产品

INN100EA035A是一款100VE-Mode氮化镓产品，采用En-FCLGA3.3X3.3封装，Rdson_Max3.5mohm，双面散热，且具有低导阻、低栅极电荷、低开关损耗以及零反向恢复电荷等特点，这一特性对于效率要求极高的AI和48V电源应用尤为重要。与传统的MOSFET方案相比，该器件的功率密度提升20%；与业界最先进的MOSFET相比，系统功率损耗可降低大于35%。

产品系列

由于其性能和特性，INN100EA035A被设计用于AIGPU电源输送和多种其他48V应用。英诺赛科还发布了基于该技术的产品系列，采用Dual-Cool封装，Rdson（Max25C）范围从1.8mohm到7mohm，底部源极占位面积与漏极占位面积相匹配，可轻松用高性能低成本GaN解决方案取代传统的SiMOSFET解决方案。

En-FCLGA3.3X3.3P2PSourcedownMOS

En-FCLGA5X6P2PDraindownMOS

INN100EA035A规格书首页

卓越性能

超低导通电阻，能量损耗大幅降低

超低驱动和开关损耗，减少系统能耗，提高系统响应速度

紧凑size，在空间有限的应用场景中具有极大优势

双面散热，提高散热效率，有效提升系统的可靠性和稳定性

应用优势

PCBLayout友好，垂直电流路径设计，最小化PCB寄生电阻

系统功率损耗降低大于35%，与业界最先进的MOSFET相比，功率损耗降低大于35%

功率密度提升20%，与传统MOSFET方案相比，该器件功率密度提升20%

应用领域

AI与48V电源领域

这款全新的功率氮化镓器件凭借其业界首创的技术、卓越的性能以及显著的系统应用优势，必将在AI和48V电源领域掀起一场技术革命。我们相信，它将为客户带来更高的价值，推动行业的不断发展和进步，开启AI和48V电源领域的新篇章！

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